首页> 外国专利> METHOD FOR OBTAINING NANO-POROUS LAYER OF INDIUM PHOSPHIDE THROUGH ELECTRO-CHEMICAL ETCHING IN SOLUTION OF HYDROFLUORIC ACID

METHOD FOR OBTAINING NANO-POROUS LAYER OF INDIUM PHOSPHIDE THROUGH ELECTRO-CHEMICAL ETCHING IN SOLUTION OF HYDROFLUORIC ACID

机译:氟酸溶液中通过电化学刻蚀获得磷化铟纳米层的方法

摘要

Спосіб отримання нанопоруватого шару на поверхні монокристалічного фосфіду індію включає обробку поверхні монокристалічного ІnР шляхом електрохімічного травлення.[Полезная модель принадлежит к способам изготовления квантово-размерных структур на поверхности монокристаллического фосфида индия, а именно к способам электрохимического травления в результате чего на поверхности формируются квантово-размерные структуры по типу квантовых проволок.Получение нанопористого слоя на поверхности монокристаллического фосфида индия n-типа легированного S до концентрации носителей 11=2,3x10смс ориентацией (111) проводилось в несколько этапов:1. Шлифование образцов и обработка поверхности алмазным порошком. После этого на поверхности присутствовали неровности высотой 2-10 нм.2. Полирующее электрохимическое травление для получения зеркально гладкой поверхности.3. Удаление с поверхности полярных и неполярных загрязнений при помощи толуола и этилового спирта.4. Электрохимическое травление образцов в растворе НР:СНОН:НО (1:2:1) для получения нанопористого слоя фосфида индия.5. Промывание поверхности в этиловом спирте и высушивание в потоке азота.Пористые слои фосфида индия могут найти применение при создании новых уникальных материалов для изготовления новых уникальных материалов для изготовления транзисторов и других СВЧ устройств. Также возможно использование в качестве подложек для выращивания различных гетероструктур, на основе которых изготовляются эффективные источники излучения.
机译:在单晶磷化铟的表面上获得纳米多孔层的方法包括通过电化学蚀刻处理单晶InP的表面。通过取向(111)在n型掺杂的S的单晶磷化铟的表面上通过取向(111)获得纳米孔层,使其载流子浓度为11 = 2.3x10 cm,1。样品研磨和金刚石粉表面处理。之后,在表面上出现2-10nm高的不规则度。2。抛光电化学蚀刻以获得镜面光滑的表面; 3。用甲苯和乙醇去除表面上的极性和非极性污染物4。在HP:CHON:NO(1:1:2:1)溶液中对样品进行电化学蚀刻,以获得磷化铟的纳米多孔层.5。用乙醇洗涤表面并在氮气流中干燥,磷化铟的多孔层可用于创建新的独特材料,用于制造晶体管和其他微波设备的独特材料。也可以使用各种子结构作为用于生长的衬底,在此基础上制造有效的辐射源。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号