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memory device with burst phase change current loss of lines of bits deselected and method for download current loss in bit lines of a memory device deselected to change phase

机译:取消选择具有突发相位变化的存储设备的位线的电流损耗和取消选择改变相位的存储设备的位线的下载电流损耗的方法

摘要

机译:

著录项

  • 公开/公告号ITTO20080677A1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-03-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 STMICROELECTRONICS S.R.L.;

    申请/专利号IT2008TO00677

  • 发明设计人 RESTA CLAUDIO;BEDESCHI FERDINANDO;

    申请日2008-09-16

  • 分类号

  • 国家 IT

  • 入库时间 2022-08-21 18:44:09

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