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BALLISTIC DEFLECTION TRANSISTOR AND LOGIC CIRCUITS BASED ON SAME

机译:基于相同的弹道偏转晶体管和逻辑电路

摘要

A quantum well is formed in a substrate to define a hub, ports extending from the hub, and a deflective structure in the hub. Electrons move through the hub and ports according to the ballistic electron effect. Gates control the movement of the electrons, causing them to be incident on the deflective structure on one side or the other, thus controlling the direction in which they are deflected and the port through which they pass.
机译:量子阱形成在衬底中以限定毂,从毂延伸的端口以及毂中的偏转结构。电子根据弹道电子效应穿过轮毂和端口。门控制电子的运动,使电子入射到一侧或另一侧的偏转结构上,从而控制电子偏转的方向和电子通过的端口。

著录项

  • 公开/公告号EP2044631A4

    专利类型

  • 公开/公告日2010-10-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 UNIVERSITY OF ROCHESTER;

    申请/专利号EP20070872710

  • 发明设计人 DIDUCK QUENTIN;MARGALA MARTIN;

    申请日2007-07-24

  • 分类号H01L29/66;H01L27/06;H01L29/12;H01L29/205;H01L29/778;

  • 国家 EP

  • 入库时间 2022-08-21 18:37:54

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