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BURN-IN TEST METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DETECTING MICRO BRIDGE BETWEEN ADJACENT BIT LINES

机译:用于检测相邻位线之间微桥的半导体装置的内置测试方法

摘要

PURPOSE: A burn-in test method of a semiconductor device is provided to detect micro bridge between first bit line and second bit line by discharging voltage level of the first bit line through the second bit line.;CONSTITUTION: An accelerating voltage is applied in initial partial period of burn-in test. A second bit line(BLe) is maintained in alternate discharging state and charging state. The electric potential of the first bit line is detected.;COPYRIGHT KIPO 2010
机译:目的:提供一种半导体器件的预烧测试方法,以通过第二位线对第一位线的电压电平进行放电来检测第一位线和第二位线之间的微桥。老化测试的初始部分时间。第二位线(BLe)保持在交替的放电状态和充电状态。检测到第一位线的电位。; COPYRIGHT KIPO 2010

著录项

  • 公开/公告号KR20100010674A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20080071659

  • 发明设计人 HWANG YOUNG HO;

    申请日2008-07-23

  • 分类号G01R31/26;G01R31/28;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:33:27

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