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SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING AN INTERNAL VOLTAGE GENERATION CIRCUIT FOR GENERATING AN INTERNAL VOLTAGE USING A REFERENCE VOLTAGE

机译:包括内部电压产生电路的半导体装置,该内部电压产生电路用于使用参考电压来产生内部电压

摘要

PURPOSE: A semiconductor device is provided to change the levels of all internal voltages using a reference voltage once by changing the level of the reference voltage according to a control signal.;CONSTITUTION: A band gap unit(1010) generates a band gap voltage to keep a constant level. A reference voltage generator(1020) generates a reference voltage by dividing the band gap voltage. An internal voltage generating circuit(1030-1060) generates each internal voltage based on the reference voltage. A serial resistor divides the band gap voltage. A selection unit outputs one of voltages outputted from each connection node of a plurality of serial resistors as the reference voltage.;COPYRIGHT KIPO 2010
机译:目的:提供一种半导体器件,以通过根据控制信号改变参考电压的电平来一次使用参考电压来改变所有内部电压的电平;组成:带隙单元(1010)产生一个带隙电压以保持恒定的水平。参考电压发生器(1020)通过对带隙电压进行分压来产生参考电压。内部电压产生电路(1030-1060)基于基准电压产生每个内部电压。串联电阻对带隙电压进行分压。选择单元输出从多个串联电阻的每个连接节点输出的电压之一作为参考电压。; COPYRIGHT KIPO 2010

著录项

  • 公开/公告号KR20100062210A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-06-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20080120679

  • 发明设计人 BYUN HEE JIN;

    申请日2008-12-01

  • 分类号G11C5/14;G11C11/4074;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:32:35

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