机译:半导体器件的制造装置和使用该器件的制造方法,使用石英晶体微平衡来进行蚀刻,蒸发或清洁中的终点,以及蚀刻或清洁过程以消除污染工艺室
公开/公告号KR20100069392A
专利类型
公开/公告日2010-06-24
原文格式PDF
申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;
申请/专利号KR20080128063
申请日2008-12-16
分类号H01L21/3065;H01L21/205;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 18:32:26