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SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR HIGH SPEED DATA OUTPUT TEST, CAPABLE OF PREVENTING THE LOSS OF A DATA COVERAGE

机译:用于高速数据输出测试的半导体存储器,能够防止数据覆盖的丢失

摘要

PURPOSE: A semiconductor memory device for high speed data output test is provided to perform a high data output test by selectively outputting odd number data or even number data from each terminal.;CONSTITUTION: A plurality of output buffer parts are connected to a plurality of terminals. An output buffer part comprises a first HSDO buffer(113-1n3), a second HSDO buffer(114-1n4) and buffer selector(111-11n). The first HSDO buffer buffers even number data from data string. The second HSDO buffer buffers odd number data from the data string. A buffer selection unit selectively activates the first and the second buffer.;COPYRIGHT KIPO 2010
机译:目的:提供一种用于高速数据输出测试的半导体存储器件,以通过有选择地从每个端子输出奇数数据或偶数数据来执行高数据输出测试。组成:多个输出缓冲部分连接到多个终端。输出缓冲器部分包括第一HSDO缓冲器(113-1n3),第二HSDO缓冲器(114-1n4)和缓冲器选择器(111-11n)。第一个HSDO缓冲区从数据字符串中缓冲偶数数据。第二个HSDO缓冲区从数据字符串中缓冲奇数数据。缓冲区选择单元有选择地激活第一缓冲区和第二缓冲区。COPYRIGHTKIPO 2010

著录项

  • 公开/公告号KR20100079387A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-07-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR20080137855

  • 发明设计人 KIM BU JIN;LEE HYEONG YONG;

    申请日2008-12-31

  • 分类号G11C29/00;G11C7/10;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:32:20

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