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METHOD FOR FORMING A CONTACT HOLE USING A SPACER PATTERNING PROCESS, CAPABLE OF IMPROVING YIELD BY REDUCING THE NUMBER OF STEPS

机译:使用间隔图案形成过程形成接触孔的方法,该方法能够通过减少步骤数来提高产量

摘要

PURPOSE: A method for forming a contact hole is provided to form a fine contact hole and simplify a process by using a spacer process when forming a fine pattern through lithography technique.;CONSTITUTION: A photosensitive film is coated on a layer formed on a semiconductor substrate after an anti-reflection layer is deposited. A lower anti-reflection layer is etched by using a first pattern(115) as a mask. The first pattern is formed by successively developing and exposing with first and second masks which are crossed. A second pattern is formed by anisotropically etching the first pattern after a spacer material(120) is coated on the first pattern. The lower layer is etched by using the second pattern as a barrier.;COPYRIGHT KIPO 2011
机译:目的:提供一种形成接触孔的方法,以形成精细的接触孔,并在通过光刻技术形成精细图案时通过使用间隔物工艺简化工艺。;组成:将光敏膜涂覆在半导体上形成的层上在沉积抗反射层之后的基板。通过使用第一图案(115)作为掩模来蚀刻下部抗反射层。第一图案是通过相交的第一和第二掩模相继显影和曝光而形成的。在将间隔件材料(120)涂覆在第一图案上之后,通过各向异性地蚀刻第一图案来形成第二图案。通过使用第二种图案作为阻挡层蚀刻下层。; COPYRIGHT KIPO 2011

著录项

  • 公开/公告号KR20100102422A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-09-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20090020791

  • 发明设计人 PARK JONG CHEON;CHO BYUNG UG;

    申请日2009-03-11

  • 分类号H01L21/28;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 18:31:53

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