首页> 外国专利> The photosensitive device microelectronics with multipliers avalanche

The photosensitive device microelectronics with multipliers avalanche

机译:具有倍增雪崩的光敏器件微电子学

摘要

The device has a set of elementary cells arranged according to a matrix, where one of the cells is provided with a photosensitive zone (110) for capturing photons and for converting the photons into electrons. Electronic avalanche multiplier produces a large number of electrons than the number of electrons converted by the zone through electronic avalanche during a multiplication cycle of the electrons. The multiplier is formed by a set of gate electrodes. Outer control circuit (150) provides control signals to control gates (G1-G3) of the multiplier.
机译:该装置具有一组根据矩阵布置的基本单元,其中一个单元设置有感光区(110),用于捕获光子并将光子转换成电子。电子雪崩倍增器产生的电子数量比在电子的倍增周期期间通过电子雪崩由区域转换的电子数量要多。乘法器由一组栅电极形成。外部控制电路(150)将控制信号提供给乘法器的控制门(G1-G3)。

著录项

  • 公开/公告号FR2924862B1

    专利类型

  • 公开/公告日2010-08-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 COMMISSARIAT A LENERGIE ATOMIQUE;

    申请/专利号FR20070059730

  • 发明设计人 NICOLAS CARRIERE;

    申请日2007-12-10

  • 分类号H01L27/146;H04N3/15;

  • 国家 FR

  • 入库时间 2022-08-21 18:26:51

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号