要解决的问题:提供一种技术,通过该技术可以通过改善中间层的成膜工艺来获得期望的超导特性(例如,临界电流特性),并且可以通过以下方法提高超导线材的生产率:中间层变薄。
解决方案:在用于超导线材的带基材2的制造方法中,其中通过离子束辅助气相沉积法在金属基板10上形成取向层21,并在该取向上形成缓冲层22通过对取向层赋予规定的热历史,可减轻取向层的晶格畸变。具体而言,将取向层加热至200℃以上且1000℃以下,优选在400℃以上且600℃以下以赋予取向层规定的热历史。
版权:(C)2011,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2011096546A
专利类型
公开/公告日2011-05-12
原文格式PDF
申请/专利权人 FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE;
申请/专利号JP20090250227
申请日2009-10-30
分类号H01B12/06;H01B13;C01G1;C01F17;H01F6/06;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 18:24:42