要解决的问题:为了提供具有自对准性质以产生二维晶体排列结构的功能分子,其制造方法,功能聚合物是功能分子的聚合物,制造方法同样,包括功能分子或功能聚合物的二维晶体排列结构及其制造方法。
解决方案:合成具有特定结构取代基的噻吩衍生物作为功能分子。在金属表面上涂布噻吩衍生物的溶液以形成涂膜,然后从该涂膜蒸发溶剂,从而通过噻吩衍生物的自对准作用生成具有二维晶体排列的结构膜。 ,因此该膜具有绝缘性能,并且可用作分子元素的基础层或栅极绝缘膜。通过使构成该膜的噻吩环彼此聚合,可以提供具有导电性的膜并且可以用作半导体层。
版权:(C)2011,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP2011035225A
专利类型
公开/公告日2011-02-17
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申请/专利权人 SONY CORP;
申请/专利号JP20090181218
申请日2009-08-04
分类号H01L51/30;C08G61/12;H01L51/05;H01L51/40;C07D333/20;C08J7/04;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 18:24:23