首页> 外国专利> TEMPLATE, METHOD FOR PRODUCING THE TEMPLATE, CRYSTAL GROWN USING THE TEMPLATE, AND METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING THE CRYSTAL

TEMPLATE, METHOD FOR PRODUCING THE TEMPLATE, CRYSTAL GROWN USING THE TEMPLATE, AND METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING THE CRYSTAL

机译:模板,用于制造模板的方法,使用该模板生长的晶体以及用于生成晶体的方法和装置

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a template having improved warpage, and to suppress a crack of a crystal grown on the template to improve the quality of the crystal.;SOLUTION: The template is produced by a first step of providing a mask material on an upper surface of a substrate of a template 1 and a second step of growing a crystal thin film on the upper surface of the substrate. Since the crystal thin film does not grow on the mask material, the crystal thin film can be divided without forming a groove in the substrate, thus capable of obtaining the template having improved warpage. Further, when a thick film GaN crystal is grown on the template, the GaN crystal is not formed such that the GaN crystal is fitted into the substrate since there is no groove in the substrate of the template. Therefore, a crack of the GaN crystal grown on the template can be suppressed, and the quality of the GaN crystal can be improved.;COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
机译:解决的问题:获得具有改善的翘曲的模板,并抑制在模板上生长的晶体的裂纹以提高晶体的质量。解决方案:该模板是通过在其上提供掩模材料的第一步制备的。模板1的基板的上表面和在基板的上表面上生长晶体薄膜的第二步骤。由于晶体薄膜不在掩模材料上生长,因此可以在不在基板上形成沟槽的情况下划分晶体薄膜,从而能够获得具有改善的翘曲的模板。此外,当在模板上生长厚膜GaN晶体时,由于在模板的基板中没有凹槽,所以没有形成GaN晶体以使GaN晶体装配到基板中。因此,可以抑制在模板上生长的GaN晶体的裂纹,并可以提高GaN晶体的质量。;版权所有:(C)2011,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP2011046548A

    专利类型

  • 公开/公告日2011-03-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PANASONIC CORP;

    申请/专利号JP20090194947

  • 发明设计人 YAMADA OSAMU;KIYOSAWA TSUTOMU;

    申请日2009-08-26

  • 分类号C30B29/38;C30B19/12;H01L21/208;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 18:22:31

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号