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Photovoltaic Structure and Solar Cell and Method of Fabrication Employing Hidden Electrode

机译:利用隐藏电极的光伏结构和太阳能电池及其制造方法

摘要

A photovoltaic structure (100), a solar cell (100, 200) and a method (300) of fabricating a solar cell (100, 200) employ a hidden electrode (122, 222, 422) on a formed (320) mesa (120, 220, 420) and a bramble (130, 230, 430) of grown (330) nanowires. The mesa includes an insulator island (121, 221, 421) adjacent to a surface of the substrate (110, 210, 410) and the hidden electrode buried under a seed layer on the insulator island. One end of some of the nanowires (134, 234) is anchored to the seed layer (124, 224, 424) of the mesa. One end of others of the nanowires (132, 232) is anchored to a seed layer (114, 214, 414) formed (310) on the substrate adjacent to the mesa. The seed layers independently are an extrinsic semiconductor. A semiconductor junction includes the seed layers and some of the nanowires of the bramble.
机译:光伏结构( 100 ),太阳能电池( 100、200 )和制造太阳能电池( 300 > 100、200 )在已形成的( 320 )台面( 120、220、420)上使用隐藏电极( 122、222、422 )和生长( 330 )纳米线的荆棘( 130、230、430 )。台面包括与衬底( 110、210、410 )的表面相邻的绝缘体岛( 121、221、421 )和埋在种子层下的隐藏电极在绝缘子岛上。某些纳米线( 134、234 )的一端锚定到台面的种子层( 124、224、424 )上。另一根纳米线( 132、232 )的一端锚定到形成的种子层( 114、214、414 )( 310 )在与台面相邻的基板上。种子层独立地是非本征半导体。半导体结包括种子层和荆棘的一些纳米线。

著录项

  • 公开/公告号US2011220171A1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAGI V. MATHAI;SHIH-YUAN WANG;

    申请/专利号US200913130814

  • 发明设计人 SAGI V. MATHAI;SHIH-YUAN WANG;

    申请日2009-01-30

  • 分类号H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/042;B82Y99/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:16:03

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