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Diagnostic method for root-cause analysis of FET performance variation

机译:FET性能变化的根本原因分析的诊断方法

摘要

A diagnostic method of and computer system for root-cause analysis of performance variations of FETs in integrated circuits and a method and computer system for monitoring a field effect transistor manufacturing process. The diagnostic method includes measuring source currents in the linear and saturated regions of two FETs, calculating ratios of the source currents in the linear and saturated regions for the and two FETs and comparing the ratios of the two FETs to determine a probable root cause for a performance variation between the two FETs. One of the FETs has a known good performance.
机译:用于对集成电路中FET的性能变化进行根本原因分析的诊断方法和计算机系统,以及用于监视场效应晶体管制造过程的方法和计算机系统。该诊断方法包括:测量两个FET的线性和饱和区域中的源极电流;计算FET和两个FET的线性和饱和区域中的源极电流的比率;以及比较两个FET的比率,以确定可能的根本原因。两个FET之间的性能差异。 FET中的一种具有已知的良好性能。

著录项

  • 公开/公告号US8000935B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-08-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LYNDON R. LOGAN;

    申请/专利号US20090472704

  • 发明设计人 LYNDON R. LOGAN;

    申请日2009-05-27

  • 分类号G06F11/30;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 18:11:33

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