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Hybrid carbon nanotube FET (CNFET)-FET static RAM (SRAM) and method of making same

机译:混合碳纳米管FET(CNFET)-FET静态RAM(SRAM)及其制造方法

摘要

Hybrid carbon nanotube FET (CNFET), static ram (SRAM) and method of making same. A static ram memory cell has two cross-coupled semiconductor-type field effect transistors (FETs) and two nanotube FETs (NTFETs), each having a channel region made of at least one semiconductive nanotube, a first NTFET connected to the drain or source of the first semiconductor-type FET and the second NTFET connected to the drain or source of the second semiconductor-type FET.
机译:混合碳纳米管FET(CNFET),静态夯(SRAM)及其制造方法。静态内存存储单元具有两个交叉耦合的半导体型场效应晶体管(FET)和两个纳米管FET(NTFET),每个晶体管的沟道区均由至少一个半导体纳米管制成,第一NTFET连接至漏极或源极。第一半导体型FET和第二NTFET连接到第二半导体型FET的漏极或源极。

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