首页> 外国专利> METHOD FOR INVESTIGATION OF COMPOSITIONAL HETEROGENEITY OF STRUCTURE OF CRYSTALS OF INDIUM PHOSPHIDE

METHOD FOR INVESTIGATION OF COMPOSITIONAL HETEROGENEITY OF STRUCTURE OF CRYSTALS OF INDIUM PHOSPHIDE

机译:磷化铟晶体结构异质性的研究方法

摘要

Винахід належить до способів дослідження композиційної неоднорідності монокристалічного фосфіду індію - смуг сегрегації домішки, що виникають під час росту кристала, а саме способів селективного травлення кристалів, завдяки якому можливо спостерігати даний тип дефектів кристалічної структури ІnР.[Полезная модель принадлежит к способам исследования композиционной неоднородности монокристаллического фосфида индия -полос сегрегации примеси, которые возникают во время роста кристалла, а именно способам селективного травления кристаллов, благодаря которому возможно наблюдать данный тип дефектов кристаллической структуры InP.Исследование «полосчатости» кристаллов фосфида индия n-типа легированного S до концентрации носителей n=2,3х10смс ориентацией (111) проводилось несколько этапов:1. Шлифование образцов и обработка поверхности алмазным порошком. После этого на поверхности присутствовали неровности высотой 2-10 нм.2. Полирующее электрохимическое травление для получения зеркально гладкой поверхности.3. Удаление с поверхности полярных и неполярных загрязнений при помощи толуола и этилового спирта.4. Селективное электрохимическое травление образцов в растворе НF:СНOН:НO (1:2:1) для исследования полосчатой неоднородности распределения компонентов в кристалле фосфида индия.5. Промывание поверхности в этиловом спирте и высушивание в потоке азота.Исследование композиционной неоднородности кристалла фосфида индия представляет значительный научный и практический интерес, так как данные дефекты могут существенно влиять на свойства как монокристаллического InP, так и на пористые структуры, полученные на объемных по
机译:本发明涉及用于研究单晶磷化铟的组成不均匀性的方法-在晶体生长期间发生的杂质的偏析带,即用于选择性蚀刻晶体的方法,其允许在晶体结构InP中观察到这种类型的缺陷。磷化铟-晶体生长过程中发生的杂质偏析带,即通过选择性刻蚀晶体的方法,因此可以观察到InP晶体结构中的此类缺陷。磷化铟的“条状”晶体研究,3х10смс定向(111)进行了几个阶段:1。样品研磨和金刚石粉表面处理。之后,在表面上出现2-10nm高的不规则度。2。抛光电化学蚀刻以获得镜面光滑的表面; 3。用甲苯和乙醇去除表面上的极性和非极性污染物4。在HF:CHON:NO(1:1:2:1)溶液中对样品进行选择性电化学蚀刻,以研究磷化铟晶体中组分分布的条纹不均匀性.5。用乙醇进行表面清洗并在氮气流中干燥。研究磷化​​铟晶体的组成不均匀性具有相当大的科学和实践意义,因为这些缺陷会显着影响单晶InP的性质以及在块状结构上获得的多孔结构

著录项

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号