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METHOD OF INVESTIGATING OPEN OF SECOND CR LAYER IN PHASE SHIFT MASK

机译:研究相移掩模中第二层CR的开路的方法

摘要

PURPOSE: A testing method of a secondary chrome layer of a phase shift mask is provided to determine data errors caused by a user and to test the second opening of a chrome layer without using a specific testing device. CONSTITUTION: A testing method of a secondary chrome layer of a phase shift mask comprises the following steps: preparing a first image marking a chrome layer open area of the phase shift mask, based on data input by a user, using an exposure device(110); preparing a second image marked with a chrome layer open area of the phase shift mask based on design data(120); displaying an overlapping image formed by the first and second images(130); and testing the second opening of the chrome layer and a data error(140).
机译:目的:提供一种相移掩模的第二铬层的测试方法,以确定由用户引起的数据错误并在不使用特定测试装置的情况下测试铬层的第二开口。组成:一种相移掩模的第二铬层的测试方法,包括以下步骤:基于用户输入的数据,使用曝光装置准备标记相移掩模的铬层开口区域的第一图像(110) );根据设计数据准备第二幅图像,该图像标记有相移掩模的铬层开口区域(120);显示由第一图像和第二图像形成的重叠图像(130);测试铬层的第二个开口和数据错误(140)。

著录项

  • 公开/公告号KR20100127113A

    专利类型

  • 公开/公告日2010-12-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC.;

    申请/专利号KR20090045641

  • 发明设计人 LEE SANG IEE;

    申请日2009-05-25

  • 分类号G03F1/08;H01L21/027;H01L21/66;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:53:13

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