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机译:CMOS射频集成电路
公开/公告号KR101003587B1
专利类型
公开/公告日2010-12-22
原文格式PDF
申请/专利权人
申请/专利号KR20080100212
发明设计人 이창석;김유신;이이;오남진;
申请日2008-10-13
分类号H01L27/02;H01F27/245;
国家 KR
入库时间 2022-08-21 17:52:53
机译: 结合在CMOS集成电路中的基于Sagnac效应的射频电子陀螺仪
机译: 集成在CMOS集成电路中的基于SAGNAC效应的无线电频率电子陀螺仪
机译: CMOS射频集成电路,能够防止电感器的性能降低