首页> 外国专利> CRYSTALLIZING MASK AND CRYSTALLIZATION METHOD USING THE SAME, CAPABLE OF IMPROVING CRYSTALLIZATION CHARACTERISTICS

CRYSTALLIZING MASK AND CRYSTALLIZATION METHOD USING THE SAME, CAPABLE OF IMPROVING CRYSTALLIZATION CHARACTERISTICS

机译:具有相同结晶能力的结晶面膜和结晶方法,能够改善结晶特性

摘要

PURPOSE: A crystallizing mask and a crystallization method using the same are provided to remove grain boundary by changing mask shape without an additional process. ;CONSTITUTION: An amorphous silicon layer is deposited on a substrate. A crystallizing mask(100) is aligned on the amorphous silicon layer. The crystallizing mask comprises a plurality of transmission parts(110) and a semi-transmission part(120) among them. The crystallization mask or the substrate is moved so that different regions of the crystallizing mask correspond to the same part on the amorphous silicon layer. Crystallization is performed by irradiating a laser beam.;COPYRIGHT KIPO 2011
机译:目的:提供一种结晶掩模和使用该结晶掩模的结晶方法,以通过改变掩模形状来去除晶界,而无需额外的处理。 ;组成:非晶硅层沉积在基板上。将结晶掩模(100)对准在非晶硅层上。所述结晶掩模包括多个透射部分(110)和半透射部分(120)。移动结晶掩模或衬底,使得结晶掩模的不同区域对应于非晶硅层上的相同部分。通过照射激光进行结晶。; COPYRIGHT KIPO 2011

著录项

  • 公开/公告号KR20110075470A

    专利类型

  • 公开/公告日2011-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG DISPLAY CO. LTD.;

    申请/专利号KR20090131928

  • 发明设计人 LEE SANG JIN;

    申请日2009-12-28

  • 分类号H01L21/20;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:51:35

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号