首页> 外国专利> Di copper as a precursor for the deposition of metallic copper (I) oxalate complexes

Di copper as a precursor for the deposition of metallic copper (I) oxalate complexes

机译:二铜作为金属草酸铜(I)配合物沉积的前体

摘要

The invention alkene or alkyne such as de- stabilized by a neutral Lewis base copper (I) oxalate complexes , and as a precursor for the deposition of metallic copper di- copper (I) relates to the use of the oxalate complexes , at this time, the neutral Lewis base used is an alkyne , alkene , triaryl phosphine , an isonitrile or CO .
机译:本发明的烯烃或炔烃,例如通过中性路易斯碱草酸铜(I)草酸盐络合物去稳定的,以及作为金属铜二铜(I)沉积的前体,目前涉及草酸盐络合物的用途。 ,使用的中性Lewis碱为炔烃,烯烃,三芳基膦,异腈或CO。

著录项

  • 公开/公告号KR101047084B1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20057020459

  • 发明设计人 코흘러 카트린;

    申请日2004-03-29

  • 分类号C07F1/08;C23C16/18;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:50:03

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号