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PROCESS FOR TREATING SUBSTRATES FOR MICROELECTRONICS INDUSTRY, AND SUBSTRATES OBTAINED BY THIS PROCESS

机译:用于处理微电子工业的基质的过程以及该过程所获得的基质

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process for treating a substrate which includes a working layer on at least one of its two faces and is used for the microelectronics or optoelectronics industry.SOLUTION: The process includes a step of annealing 200 under a reductive atmosphere 100 followed by a step of chemical-mechanical polishing on an exposed surface 54 of a working layer 52.
机译:解决的问题:提供一种用于处理基板的方法,该基板在其两个面上至少一个表面上包括工作层,并且用于微电子或光电子行业。解决方案:该方法包括在还原性气氛下退火200的步骤。 100之后,在工作层52的裸露表面54上进行化学机械抛光的步骤。

著录项

  • 公开/公告号JP2012104839A

    专利类型

  • 公开/公告日2012-05-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SOITEC;

    申请/专利号JP20110270460

  • 申请日2011-12-09

  • 分类号H01L21/26;H01L21/324;H01L21/265;H01L27/12;H01L21/02;H01L21/304;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:41:59

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