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SRAM, the semiconductor memory, data maintenance manner in SRAM, and SRAM which stores

机译:SRAM,半导体存储器,SRAM中的数据维护方式以及存储的SRAM

摘要

An SRAM (Static Random Access Memory) has a refreshing unit for performing a refreshing operation to maintain a state of an electric charge in a memory cell in order to prevent stored data from being destructed by a latch-up phenomenon to maintain the stored data certainly even when a soft error occurs due to a neutron.
机译:SRAM(静态随机存取存储器)具有刷新单元,该刷新单元用于执行刷新操作以保持存储单元中的电荷状态,从而防止所存储的数据被闩锁现象破坏,从而可靠地保持所存储的数据。即使由于中子而发生软错误。

著录项

  • 公开/公告号JP5066855B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-11-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 富士通株式会社;

    申请/专利号JP20060198497

  • 发明设计人 松井 範幸;

    申请日2006-07-20

  • 分类号G11C11/41;G11C11/412;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:38:49

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