首页> 外国专利> In CuCrSi based alloy and CuCrSi based alloy foil null mass factor

In CuCrSi based alloy and CuCrSi based alloy foil null mass factor

机译:在CuCrSi基合金和CuCrSi基合金箔中的零质量因子

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a copper alloy and copper alloy foil for electrical/electronic components having high electrical conductivity while maintaining high strength.;SOLUTION: The high conductivity Cu-Cr-Si-based alloy for electrical/electronic components is a copper alloy comprising, by mass, 0.15 to 0.5% Cr and 0.02 to 0.15% Si, and the balance Cu with inevitable impurities, and, in which the mass ratio between the Cr addition and the Si addition, Cr/Si is 3.5 to 8.0, and the average grain diameter of precipitates present in the copper mother phase is 10 to 100 nm. If required, 0.02 to 0.1% Mg can be added thereto.;COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供用于具有高电导率并保持高强度的用于电气/电子部件的铜合金和铜合金箔;解决方案:用于电气/电子部件的高电导率的Cu-Cr-Si基合金是铜合金,其质量为0.15〜0.5%的Cr和0.02〜0.15%的Si,余量的Cu具有不可避免的杂质,Cr添加量与Si添加量的质量比为3.5〜8.0,存在于铜母相中的析出物的平均粒径为10〜100nm。如果需要,可以向其中添加0.02至0.1%的Mg 。;版权所有:(C)2008,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP4916206B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-04-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JX日鉱日石金属株式会社;

    申请/专利号JP20060099496

  • 发明设计人 冠 和樹;衛藤 雅俊;

    申请日2006-03-31

  • 分类号C22C9/00;C22F1/08;H01R13/03;C22F1/00;H01B1/02;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:38:21

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号