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The Drive mannered null 1MOS transistor

机译:驱动方式为空的1MOS晶体管

摘要

An EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) has a first MOS transistor and a second MOS transistor. The first MOS transistor and the second MOS transistor have a common gate electrode and constitute one memory cell. A program operation and an erase operation are carried out by using the first MOS transistor. A read operation is carried out by using the second MOS transistor.
机译:EEPROM(电可擦可编程只读存储器)具有第一MOS晶体管和第二MOS晶体管。第一MOS晶体管和第二MOS晶体管具有公共栅电极并构成一个存储单元。通过使用第一MOS晶体管来执行编程操作和擦除操作。通过使用第二MOS晶体管执行读取操作。

著录项

  • 公开/公告号JP4889268B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-03-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利号JP20050275356

  • 发明设计人 田中 浩治;

    申请日2005-09-22

  • 分类号H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792;G09G3/20;G09G3/36;H01L27/115;H01L27/10;G11C16/04;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:36:01

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