首页> 外国专利> Method of forming gas barrier layers including a change in pressure, a gas barrier layer formed by the method, and a gas barrier film

Method of forming gas barrier layers including a change in pressure, a gas barrier layer formed by the method, and a gas barrier film

机译:形成包括压力变化的气体阻挡层的方法,通过该方法形成的气体阻挡层和气体阻挡膜

摘要

A method of forming a gas barrier layer comprises: forming a first layer over a substrate by plasma-enhanced CVD at a first pressure, at least a part of a surface of the substrate being made of an organic material; and forming a second layer on the first layer by plasma-enhanced CVD at a second pressure which is lower than the first pressure.
机译:一种形成阻气层的方法,包括:在第一压力下通过等离子体增强CVD在衬底上方形成第一层,所述衬底的至少一部分表面由有机材料制成;在低于第一压力的第二压力下通过等离子体增强CVD在第一层上形成第二层。

著录项

  • 公开/公告号US8273419B2

    专利类型

  • 公开/公告日2012-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOSHIYA TAKAHASHI;

    申请/专利号US20090541627

  • 发明设计人 TOSHIYA TAKAHASHI;

    申请日2009-08-14

  • 分类号H05H1/24;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:30:18

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号