首页> 外国专利> System and method for driving a memory circuit utilizing a pull-up resistance when strobing the memory circuit and driving the memory circuit devoid of the pull-up resistance when reading or writing data

System and method for driving a memory circuit utilizing a pull-up resistance when strobing the memory circuit and driving the memory circuit devoid of the pull-up resistance when reading or writing data

机译:用于在选通存储电路时利用上拉电阻来驱动存储电路并在读取或写入数据时驱动没有上拉电阻的存储电路的系统和方法

摘要

A system, method, and computer program product are provided for driving a memory circuit. In one embodiment, the memory circuit is driven utilizing a first resistance value in a first mode of operation. Further, in a second mode of operation, the memory circuit is driven utilizing a second resistance value. In another embodiment, a device is provided for driving a memory circuit without active termination utilizing a resistor.
机译:提供了一种用于驱动存储电路的系统,方法和计算机程序产品。在一个实施例中,在第一操作模式下利用第一电​​阻值来驱动存储电路。此外,在第二操作模式中,利用第二电阻值来驱动存储电路。在另一个实施例中,提供了一种用于在不使用电阻器进行主动端接的情况下驱动存储电路的设备。

著录项

  • 公开/公告号US8254190B1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-08-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GABRIELE GORLA;BRUCE H. LAM;

    申请/专利号US20090649223

  • 发明设计人 GABRIELE GORLA;BRUCE H. LAM;

    申请日2009-12-29

  • 分类号G11C7;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:28:37

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号