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Method for Fast Macropore Etching in n-Type Silicon

机译:n型硅中快速大孔刻蚀的方法

摘要

Method for the electrochemical etching of macropores in n-type silicon wafers, using illumination of the wafer reverse sides and using an aqueous electrolyte, characterized in that the electrolyte is an aqueous acetic acid solution with the composition of H2O: CH3COOH in the range between 2:1 and 7:3, with an addition of at least 9 percent by weight hydrofluoric acid.
机译:通过对晶片背面进行照明并使用水性电解质对n型硅晶圆中大孔进行电化学蚀刻的方法,其特征在于,该电解质是具有H 2 O:CH 3 COOH,范围为2:1至7:3,并添加至少9重量%的氢氟酸。

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