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Nanostructure for molecular electronics comprising collinear metal lines defining precise nanoscale gap

机译:分子电子学的纳米结构,包括共线金属线,定义精确的纳米级间隙

摘要

A nanostructure pattern which includes pairs of metal lines separated by identical gaps whose dimensions are in the nanometer range, can be prepared by providing a separating sacrificial layer, whose dimensions can be controlled precisely, in the separation gap between the first metal line and the second metal line. The sacrificial layer is removed at the end of the fabrication, leaving a precisely dimensioned gap between the lines.
机译:可以通过在第一金属线和第二金属线之间的分离间隙中提供可精确控制尺寸的分离牺牲层来制备包括通过成对的金属线对隔开的纳米结构图案,所述成对的金属线的尺寸在纳米范围内。金属线。在制造结束时去除牺牲层,在线之间留下精确尺寸的间隙。

著录项

  • 公开/公告号US8058644B1

    专利类型

  • 公开/公告日2011-11-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ARI AVIRAM;

    申请/专利号US20050196821

  • 发明设计人 ARI AVIRAM;

    申请日2005-08-03

  • 分类号H01L29/41;H01L51/10;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:26:54

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