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Pattern formation method using levenson-type mask and method of manufacturing levenson-type mask

机译:使用莱文森型掩模的图案形成方法和制造莱文森型掩模的方法

摘要

A method of forming a pattern including a first pattern portion having a first minimum dimension and a second pattern portion having a second minimum dimension includes a first exposure step of performing exposure using a Levenson-type mask and a second exposure step of performing exposure using a half tone-type mask. When second minimum dimension is 1.3 time or more than the first minimum dimension, the exposure amount of the second exposure step is set to be equal to or smaller than the exposure amount of the first exposure step.
机译:形成包括具有第一最小尺寸的第一图案部分和具有第二最小尺寸的第二图案部分的图案的方法包括使用Levenson型掩模进行曝光的第一曝光步骤和使用Levenson型掩模进行曝光的第二曝光步骤。半色调型口罩。当第二最小尺寸为第一最小尺寸的1.3倍或更大时,第二曝光步骤的曝光量被设置为等于或小于第一曝光步骤的曝光量。

著录项

  • 公开/公告号US8071264B2

    专利类型

  • 公开/公告日2011-12-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 MITSURU OKUNO;AKEMI MONIWA;

    申请/专利号US201113050548

  • 发明设计人 MITSURU OKUNO;AKEMI MONIWA;

    申请日2011-03-17

  • 分类号G03F1/00;G03C5/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 17:25:46

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