机译:包含隧道顶部的半导体隧道隔离装置,其多个装置的优点还在于,纳米级的高液体Hecht物质已成功地,连续地通过围绕移动的半导体物质的部分连续使用。
公开/公告号NL1037192C
专利类型
公开/公告日2011-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 BOK EDWARD;
申请/专利号NL20091037192
发明设计人 BOK EDWARD;
申请日2009-08-11
分类号H01L21/677;
国家 NL
入库时间 2022-08-21 17:23:37