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QUANTUM WELL STRUCTURE OF USING ENERGY BAND CONTROLLED AND METHOD OF FORMING THE SAME

机译:利用能带控制的量子阱结构及其形成方法

摘要

PURPOSE: A quantum well structure with a controlled energy band and a forming method thereof are provided to implement different band gaps in a well layer of a single structure. CONSTITUTION: A first barrier(110) is formed on a substrate(100). A well layer(120) is formed on the first barrier layer and includes a first region(121) and a second region(123) with different band gaps. A second barrier layer(130) is formed on the well layer. A dielectric thin film layer(140) is formed on the second barrier layer.
机译:目的:提供一种具有受控能带的量子阱结构及其形成方法,以在单个结构的阱层中实现不同的带隙。组成:第一屏障(110)形成在基板(100)上。阱层(120)形成在第一阻挡层上并且包括具有不同带隙的第一区域(121)和第二区域(123)。第二势垒层(130)形成在阱层上。在第二阻挡层上形成电介质薄膜层(140)。

著录项

  • 公开/公告号KR20120113586A

    专利类型

  • 公开/公告日2012-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY;

    申请/专利号KR20110031363

  • 发明设计人 LEE HONG SEOK;

    申请日2011-04-05

  • 分类号H01L33/04;H01L33/06;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:09:01

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