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Method of forming graphene layer using metal layer solved carbon

机译:利用金属层溶解碳形成石墨烯层的方法

摘要

PURPOSE: A method for manufacturing graphine is provided to directly form the graphine on a substrate and to simplify process without graphine damage. CONSTITUTION: A method for manufacturing graphine comprises: a step of forming a carbon-dissolved metal thin film(230) on a substrate(210); and a step of performing thermal treatment of the metal thin film to form a laminate structure on the substrate.
机译:目的:提供一种制造石墨烯的方法,该方法可在基材上直接形成石墨烯,并简化工艺而不会损坏石墨烯。组成:一种制造石墨烯的方法,包括:在基板(210)上形成碳溶解的金属薄膜(230)的步骤;进行金属薄膜的热处理以在基板上形成层叠结构的步骤。

著录项

  • 公开/公告号KR101143694B1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-05-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人

    申请/专利号KR20090120640

  • 发明设计人 김기범;김현미;

    申请日2009-12-07

  • 分类号C01B31/02;B32B9/04;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 17:08:06

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