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机译:基于具有高损耗界面模式的频率选择性等离子体黑体的纳米结构传感器
公开/公告号GB201119429D0
专利类型
公开/公告日2011-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 GONG YONGKANG;LIU XUEMING;COPNER NIGEL J;ZHAO WEI;LI KANG;HUNAG JUNGANG;
申请/专利号GB20110019429
发明设计人
申请日2011-11-10
分类号
国家 GB
入库时间 2022-08-21 17:03:56
机译: 基于双模无线电频率的频带控制设备,无线电频率接口电路和选择性地控制多路无线电频率发送器结构的方法
机译: 基于在切割条件附近有损模式引起的共振的镀膜光纤传感器
机译: 涂层光纤传感器基于在切割条件附近由有损耗模式引起的共振。