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DUMMY GATE CELL, CELL BASE IC, AND LAYOUT SYSTEM AND LAYOUT METHOD OF CELL BASE IC

机译:哑门细胞,细胞基集成电路以及细胞基集成电路的布局系统和布局方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dummy gate cell, a cell base IC, and a layout system and a layout method of the cell base IC in which antenna effects can be suppressed while reducing loss in a wiring property and an area.SOLUTION: Drain electrodes 10, 11 of an nMOS transistor 150 and a pMOS transistor 151 which comprise a CMOS inverter are made to be non-connected, and they are arranged in an unused area 150 which is not occupied by a basic cell 103 in a cell base IC 101.
机译:解决的问题:提供一种伪栅极单元,单元基体IC以及该单元基体IC的布局系统和布局方法,在抑制布线效应和面积损失的同时,可以抑制天线效应。使包括CMOS反相器的nMOS晶体管150和pMOS晶体管151的漏电极10、11不连接,并且将它们布置在单元基极中的基本单元103未占据的未使用区域150中。 IC 101。

著录项

  • 公开/公告号JP2013201159A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-10-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ROHM CO LTD;

    申请/专利号JP20120066850

  • 发明设计人 KITO YOSHIHARU;

    申请日2012-03-23

  • 分类号H01L21/82;H01L21/822;H01L27/04;H01L21/8238;H01L27/092;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 17:02:32

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