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The NiW sintering target material in order to form the Ni alloy center of perpendicular recording media

机译:NiW烧结靶材,以形成垂直记录介质的Ni合金中心

摘要

P To provide an Ni-W based target material in which the variation of an Ni-W based alloy film for an intermediate layer of a vertical magnetic recording medium deposited by sputtering can be suppressed. PSOLUTION: The Ni-W based sintered target material comprises, by atom and 3 to 15% W, and the balance Ni with inevitable impurities and in which intensity ratio obtained from an Ni solid solution as an fcc phase in the X-ray diffraction of the sintered target material satisfy 0.30≤ I (200) /I (111) ≤ 0.50 and 0.10≤ I (220) /I (111) ≤ 0.30. PCOPYRIGHT: (C)2009 and JPO& INPIT
机译:

提供一种Ni-W基靶材,其中可以抑制用于通过溅射沉积的垂直磁记录介质的中间层的Ni-W基合金膜的变化。

解决方案:Ni-W基烧结靶材料包括原子和3%至15%的W,以及余量的Ni和不可避免的杂质,并且其中的强度比由X-态的Ni固溶体作为fcc相获得。烧结后的靶材的射线衍射满足0.30le。我(200)/我(111)≤ 0.50和0.10≤我(220)/我(111)≤ 0.30。

版权:(C)2009和JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP5305137B2

    专利类型

  • 公开/公告日2013-10-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日立金属株式会社;

    申请/专利号JP20080242952

  • 发明设计人 上野 友典;藤本 光晴;福岡 淳;

    申请日2008-09-22

  • 分类号C23C14/34;C22C19/03;C22C19/05;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:56:07

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