首页> 外国专利> DELAY CIRCUIT, MULTI-STAGE DELAY CIRCUIT, TIME DIGITAL CONVERTER, SEMICONDUCTOR TEST DEVICE, RING OSCILLATOR, AND DELAY LOCK LOOP

DELAY CIRCUIT, MULTI-STAGE DELAY CIRCUIT, TIME DIGITAL CONVERTER, SEMICONDUCTOR TEST DEVICE, RING OSCILLATOR, AND DELAY LOCK LOOP

机译:延迟电路,多级延迟电路,时间数字转换器,半导体测试装置,环形振荡器和延迟锁定环

摘要

A delay circuit includes a MOSFET and bias voltage sources. The bias voltage sources apply a voltage difference between the drain and source of the MOSFET. The bias voltage source supplies a source voltage to a source electrode of the MOSFET. The bias voltage source supplies a drain voltage to a drain electrode of the MOSFET. An input signal to be delayed is propagated through the gate of the MOSFET in the gate width direction (y-axis direction).
机译:延迟电路包括MOSFET和偏置电压源。偏置电压源在MOSFET的漏极和源极之间施加电压差。偏置电压源将源电压提供给MOSFET的源电极。偏置电压源将漏极电压提供给MOSFET的漏极。要延迟的输入信号在栅极宽度方向(y轴方向)上通过MOSFET的栅极传播。

著录项

  • 公开/公告号JP5190467B2

    专利类型

  • 公开/公告日2013-04-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社アドバンテスト;

    申请/专利号JP20090544567

  • 发明设计人 山本 和弘;岡安 俊幸;

    申请日2008-12-02

  • 分类号H03K5/14;H03K5/26;H03K5/135;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:54:22

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号