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SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS HETEROSTRUCTURES

机译:半导体纳米异质结构

摘要

A semiconductor nanocrystal heterostructure has a core of a first semiconductor material surrounded by an overcoating of a second semiconductor material. Upon excitation, one carrier can be substantially confined to the core and the other carrier can be substantially confined to the overcoating.
机译:半导体纳米晶体异质结构具有被第二半导体材料的外涂层包围的第一半导体材料的芯。在激发时,一个载体可以基本上限制在芯上,而另一种载体可以基本上限制在外涂层上。

著录项

  • 公开/公告号US2012319054A1

    专利类型

  • 公开/公告日2012-12-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SUNGJEE KIM;MOUNGI G. BAWENDI;

    申请/专利号US201213594719

  • 发明设计人 SUNGJEE KIM;MOUNGI G. BAWENDI;

    申请日2012-08-24

  • 分类号H01B1/00;B82Y30/00;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:51:56

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