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ENERGY STORAGE METHOD AND SYSTEM USING DEFECT-ENGINEERED NANOSTRUCTURES

机译:缺陷工程纳米结构的能量存储方法和系统

摘要

An energy storage device includes a first electrode and a second electrode comprising nanostructures. The nanostructures comprise defects that increase charge storage capabilities of the energy storage device. A method of fabricating an energy storage device includes producing a nanomaterial comprising nanostructures and generating defects in the nanomaterial using an electrophilic or nucleophilic additive for increasing charge storage capability of the nanomaterial.
机译:能量存储装置包括具有纳米结构的第一电极和第二电极。纳米结构包括增加能量存储装置的电荷存储能力的缺陷。一种制造能量存储装置的方法,包括生产包括纳米结构的纳米材料,并使用亲电或亲核添加剂在纳米材料中产生缺陷,以增加纳米材料的电荷存储能力。

著录项

  • 公开/公告号US2013279076A1

    专利类型

  • 公开/公告日2013-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 PRABHAKAR R. BANDARU;MARK HOEFER;

    申请/专利号US201113883258

  • 发明设计人 PRABHAKAR R. BANDARU;MARK HOEFER;

    申请日2011-11-02

  • 分类号H01G11/04;H01G9;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:51:50

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