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Semiconductor device based on power gating in multilevel wiring structure

机译:基于多层布线结构中的功率门控的半导体器件

摘要

A semiconductor device includes: first and second circuit cell arrays extending in first direction; first and second power supply lines each extending in first direction and arranged over first circuit cell array, first power supply line being supplied with first power source voltage; third power supply line extending in first direction separately from second power supply line, arranged over second circuit cell array, and supplied with second power source voltage; first transistor coupled between second and third power supply lines; and first circuit arranged on first circuit cell array and operating on first and second power source voltages supplied from first and second power supply lines, respectively.
机译:一种半导体器件,包括:在第一方向上延伸的第一电路单元阵列和第二电路单元阵列;以及第一和第二电源线分别沿第一方向延伸并布置在第一电路单元阵列上方,第一电源线被提供有第一电源电压。在第一方向上与第二电源线分开延伸的第三电源线,布置在第二电路单元阵列上方,并被提供第二电源电压;第一晶体管耦合在第二和第三电源线之间;第一电路,布置在第一电路单元阵列上,并分别在从第一电源线和第二电源线提供的第一电源电压和第二电源电压上操作。

著录项

  • 公开/公告号US8499272B2

    专利类型

  • 公开/公告日2013-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TOSHINAO ISHII;

    申请/专利号US201213434654

  • 发明设计人 TOSHINAO ISHII;

    申请日2012-03-29

  • 分类号G06F17/50;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:44:29

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