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Kyropoulos sapphire single crystal growing apparatus using elliptic crucible

机译:使用椭圆形坩埚的Kyropoulos蓝宝石单晶生长装置

摘要

Disclosed is a sapphire single crystal growing apparatus using the Kyropoulos method, and more particularly, is a Kyropoulos sapphire single crystal growing apparatus using an elliptic crucible, which can increase the recovery rate by the elliptic crucible and anisotropic heating.
机译:公开了一种使用Kyropoulos方法的蓝宝石单晶生长设备,更具体地,是一种使用椭圆形坩埚的Kyropoulos蓝宝石单晶生长设备,其可以通过椭圆形坩埚和各向异性加热来提高回收率。

著录项

  • 公开/公告号US8500905B2

    专利类型

  • 公开/公告日2013-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 JONG KWAN PARK;

    申请/专利号US201213344498

  • 发明设计人 JONG KWAN PARK;

    申请日2012-01-05

  • 分类号C30B17/00;C30B15/00;C30B9/00;C30B21/06;C30B27/02;C30B28/10;C30B11/00;C30B28/06;C30B35/00;C30B29/20;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:44:10

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