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Method for removal inclusions of the second fase From CRYSTALS on the BASis of CdTe

机译:从CdTe的BASis上的晶体中除去第二熔体中夹杂物的方法

摘要

A method for removal inclusions of the second fase from crystals on the basis of CdTe includes heat treatment of a sample in cadmium vapor in vacuumized sealed quartz ampoule, at that the heat treatment is carried out at a sample temperature of 1100 K and cadmium vapor source temperature of 1070 K for 2 hours with subsequent programmed cooling with the rate of 5 K/min.
机译:一种基于CdTe从晶体中去除第二种夹杂物的方法,包括在真空密封的石英安瓿瓶中对镉蒸气中的样品进行热处理,即在1100 K的样品温度和镉蒸气源下进行热处理。温度为1070 K,持续2小时,随后以5 K / min的速度进行程序冷却。

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