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PRECURSOR COMPOUND CONTAINING GROUP 4 TRANSITION METAL, PREPARATION METHOD THEREOF, PRECURSOR COMPOSITION CONTAINING SAME, AND METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM USING SAME

机译：包含第4族过渡金属的前体化合物，其制备方法，包含前体的相同成分和使用相同沉积薄膜的方法

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摘要

The present invention relates to a precursor compound containing a group 4 transition metal, a method for preparing the precursor compound, a precursor composition for depositing a thin film containing the precursor compound, and a method for depositing a thin film using the precursor compound.

机译：本发明涉及一种包含第4族过渡金属的前体化合物，该前体化合物的制备方法，用于沉积包含该前体化合物的薄膜的前体组合物以及使用该前体化合物沉积薄膜的方法。

著录项

公开/公告号WO2013157901A1

专利类型
公开/公告日2013-10-24

原文格式PDF
申请/专利权人 UP CHEMICAL CO. LTD.;
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申请/专利号WO2013KR03398
发明设计人 HAN WON SEOK;
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申请日2013-04-22
分类号C07F7/28;C07F7;C23C16/18;
国家 WO
入库时间 2022-08-21 16:30:02

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