首页> 外国专利> APPARATUS FOR DEPOSITING SILICON CARBIDE AND A METHOD FOR DEPOSITING THE SILICON CARBIDE CAPABLE OF PREVENTING THE DEFECT OF A THIN FILM LAYER

APPARATUS FOR DEPOSITING SILICON CARBIDE AND A METHOD FOR DEPOSITING THE SILICON CARBIDE CAPABLE OF PREVENTING THE DEFECT OF A THIN FILM LAYER

机译:用于沉积碳化硅的装置和用于沉积能够防止薄膜层缺陷的碳化硅的方法

摘要

PURPOSE: An apparatus for depositing silicon carbide and a method for depositing the silicon carbide are provided to prevent the contamination of a thin film by attaching a wafer to a susceptor in a vacuum process.;CONSTITUTION: A susceptor (30) is positioned in the upper part of a chamber (10). The susceptor includes one or more vacuum holes. The susceptor includes a vacuum line (70). The vacuum hole forms a vacuum. The vacuum line is connected to the vacuum hole.;COPYRIGHT KIPO 2013
机译:目的:提供一种沉积碳化硅的设备和一种沉积碳化硅的方法,以防止在真空工艺中通过将晶片附着到基座上而污染薄膜。;组成:基座(30)位于腔室(10)的上部。基座包括一个或多个真空孔。基座包括真空管线(70)。真空孔形成真空。真空管线连接到真空孔。; COPYRIGHT KIPO 2013

著录项

  • 公开/公告号KR20130072958A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LG INNOTEK CO. LTD.;

    申请/专利号KR20110140591

  • 发明设计人 KANG SEOK MIN;

    申请日2011-12-22

  • 分类号H01L21/205;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 16:26:46

相似文献

  • 专利
  • 外文文献
  • 中文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号