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PHOTO-SENSING TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL EMPLOYING THE PHOTO-SENSING TRANSISTOR

机译:光电晶体管,制造相同的方法和显示面板,并采用光电晶体管

摘要

Purpose: a light sensing transistor, its manufacturing method are arranged to increase light sensing efficiency to light using an identical display panel by improving source electrode and drain electrode structure one channel layer of exposure. ;Construction: a gate insulating layer (120) are formed on a grid layer (110). A channel layer (130) are formed on gate insulating layer. An etching stopping layer (140) are formed in a part of channel layer. One passivation layer (170) covers source, draining, etching stopping layer. Source is separated with etching stopping layer. ;Copyright KIPO 2013
机译:目的:一种光敏晶体管,其制造方法被布置为通过改善暴露的一个沟道层的源电极和漏电极结构来提高使用相同显示面板的光的光敏效率。构造:栅极绝缘层(120)形成在栅格层(110)上。在栅极绝缘层上形成沟道层(130)。在沟道层的一部分中形成蚀刻停止层(140)。一个钝化层(170)覆盖源极,漏极,蚀刻停止层。源与蚀刻停止层分离。 ;版权KIPO 2013

著录项

  • 公开/公告号KR20130104290A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-09-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号KR20120025666

  • 发明设计人 JEON SANG HUN;AHN SEUNG EON;SONG I HUN;

    申请日2012-03-13

  • 分类号H01L29/786;H01L21/336;G06F3/041;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 16:26:15

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