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机译：借助于半导体纳米晶体来测量温度，尤其是低温的温度的方法和装置
公开/公告号FR2959308B1
专利类型
公开/公告日2013-06-14
原文格式PDF
申请/专利权人 COMMISSARIAT A LENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES;
申请/专利号FR20100053041
发明设计人 DANIEL COMMUNAL;PETER REISS;
申请日2010-04-21
分类号G01K11/20;
国家 FR
入库时间 2022-08-21 16:21:17
机译： 使用半导体纳米材料测量温度，尤其是低温温度的方法和装置
机译： 使用纳米晶体的前体在低温下形成的IV组半导体薄膜（使用纳米晶前体在低温下制成的GROUP IV半导体薄膜）
机译： 半导体基板温度测量装置，包含该基板的半导体装置制造装置，半导体基板温度测量方法及该半导体装置的制造方法
