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A pulsed radar transmitter amplifier with rapid turn-off

机译:具有快速关闭功能的脉冲雷达发射机放大器

摘要

A pulsed radar transmitter amplifier with rapid turn-off The close-in sensitivity of a pulsed radar system is improved by driving the drain  supply of the transmitting GaAs transistor 31 with a pull-up NFET 212 that responds  rapidly to a rise in the control signal Pconi. The gate charge of NFET 212 is discharged quickly through NFET 211 when Pconi goes to a high level. The NFET  pull-up device 212 is turned on by charge delivered from bootstrap capacitor 215  when Pconi goes low. The resistor 217C may be bypassed by a transistor (251,  figure 6) to shorten the turn-on time. The gate supply for the GaAs transistor 31 is also pulsed but does not need to provide a rapid response.
机译:具有快速关闭功能的脉冲雷达发射机放大器通过使用上拉NFET 212驱动发射GaAs晶体管31的漏极电源来提高脉冲雷达系统的近距离灵敏度,该上拉NFET 212对控制信号的上升做出快速响应佩科尼。当Pconi变为高电平时,NFET 212的栅极电荷通过NFET 211快速放电。当Pconi变低时,自举电容器215传递的电荷会打开NFET上拉器件212。电阻器217C可以由晶体管(251,图6)旁路以缩短导通时间。 GaAs晶体管31的栅极电源也有脉冲,但不需要提供快速响应。

著录项

  • 公开/公告号GB2495605A

    专利类型

  • 公开/公告日2013-04-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 FURUNO ELECTRIC CO. LTD.;

    申请/专利号GB20120017744

  • 发明设计人 TOMONAO KOBAYASHI;

    申请日2012-10-04

  • 分类号H03F3/72;G01S7/282;H03K17/06;

  • 国家 GB

  • 入库时间 2022-08-21 16:20:22

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