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Method for manufacturing nano- meter standard prototype , standard sample , nanometer standard prototype , and manufacturing method of the standard sample

机译:纳米标准样品的制造方法,标准样品,纳米标准样品和标准样品的制造方法

摘要

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nanometer standard which is superior in corrosion resistance to substances in the atmosphere and has high accuracy.;SOLUTION: A standard sample as the nanometer standard has a standard length being a reference for comparison. The standard sample has an SiC layer having a step/terrace structure formed therein. A height of a step is equal to a height of a full unit corresponding to one cycle in a lamination direction of SiC molecules or a height of a half unit corresponding to half a cycle in the lamination direction of SiC molecules. The height of the step is used as the standard length.;COPYRIGHT: (C)2012,JPO&INPIT
机译:解决的问题:提供一种对大气中的物质具有优异的耐腐蚀性的纳米标准,并具有高精度。解决方案:作为纳米标准的标准样品的标准长度作为比较的参考。标准样品具有其中形成有台阶/露台结构的SiC层。台阶的高度等于在SiC分子的层叠方向上对应于一个循环的整个单元的高度,或者在SiC分子的层叠方向上等于对应于半周期的半单元的高度。台阶的高度用作标准长度。;版权所有:(C)2012,JPO&INPIT

著录项

  • 公开/公告号JP5590665B2

    专利类型

  • 公开/公告日2014-09-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 学校法人関西学院;

    申请/专利号JP20100122852

  • 发明设计人 松田 一宏;金子 忠昭;牛尾 昌史;

    申请日2010-05-28

  • 分类号G01Q40/02;G01N1/00;G01B11/24;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 16:15:40

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