要解决的问题:为了提供一种制造用于固态成像元件的外延晶片的方法,该方法容易在短时间内形成吸气沉,并且在形成吸气时不会引起重金属污染的担忧。水槽。
解决方案:通过多光子吸收步骤形成吸杂槽4,然后对硅晶片2进行镜面抛光(如图4(b)所示的抛光步骤)。通过对硅晶片2进行镜面研磨的研磨工序,可以很好地去除作为前一工序的多光子吸收工序中的激光的照射所引起的硅晶片2的一个面2a上的微小缺陷(磨耗)。 (如图4(b)所示)。
版权:(C)2011,日本特许厅&INPIT
公开/公告号JP5544734B2
专利类型
公开/公告日2014-07-09
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社SUMCO;
申请/专利号JP20090069601
发明设计人 栗田 一成;
申请日2009-03-23
分类号H01L21/322;H01L27/148;H01L21/20;H01L21/205;
国家 JP
入库时间 2022-08-21 16:12:21