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HIGHLY INTEGRATED MILLIMETER-WAVE SOC LAYOUT TECHNIQUES FOR IMPROVED PERFORMANCE AND MODELING ACCURACY

机译:高度集成的毫米波SOC布局技术,可提高性能和建模精度

摘要

A capacitor integrated circuit can include a top metal layer, a bottom metal layer, and an intermediate metal layer. The top metal layer can store energy received from a transmission signal in an electric field. The top metal layer can include a first comb structure and a second comb structure, where the first comb structure can be interleaved with the second comb structure. The bottom metal layer can be positioned underneath the top metal layer and can provide a path to ground. The intermediate metal layer can be positioned over the bottom metal layer and underneath at least a portion of the top metal layer. The intermediate metal layer can provide a signal path for a supply voltage.
机译:电容器集成电路可以包括顶部金属层,底部金属层和中间金属层。顶层金属层可以在电场中存储从传输信号接收的能量。顶部金属层可以包括第一梳状结构和第二梳状结构,其中第一梳状结构可以与第二梳状结构交错。底部金属层可以位于顶部金属层下面,并且可以提供接地路径。中间金属层可以位于底部金属层上方和顶部金属层的至少一部分下方。中间金属层可以提供用于电源电压的信号路径。

著录项

  • 公开/公告号US2014162575A1

    专利类型

  • 公开/公告日2014-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ANAYAS360.COM LLC;

    申请/专利号US201314099407

  • 发明设计人 JOY LASKAR;

    申请日2013-12-06

  • 分类号H01L49/02;H04B1/40;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 16:09:54

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