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用于小面积数字SOC的自适应标准单元架构和布局技术

摘要

一种标准单元CMOS器件包括跨标准单元延伸的第一电源轨(104)。第一电源轨连接到第一电压或小于第一电压的第二电压中的一个电压。该器件进一步包括跨标准单元延伸的第二电源轨(118)。第二电源轨连接到第一电压或第二电压中的另一个电压。第二电源轨包括M2层互连和连接到M1层互连的M1层互连集合。该器件进一步包括在第一电源轨与第二电源轨之间并由第一电源轨和第二电源轨供电的CMOS晶体管器件集合。该器件进一步包括在第二电源轨下方并且与第二电源轨正交地延伸的M1层互连(124)。M1层互连耦合到CMOS晶体管器件集合。

著录项

  • 公开/公告号CN106165097A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201580019576.5

  • 申请日2015-03-16

  • 分类号H01L27/02(20060101);H01L27/118(20060101);H01L23/528(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陈炜

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 00:54:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20150316

    实质审查的生效

  • 2016-11-23

    公开

    公开

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